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Examen RIR 2011-2012 – TERCERA PARTE

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190.       La energía de Madelung:

1. Está asociada a fuerzas de Van der Waals en cristales iónicos.

2. Es consecuencia de la interacción ion magnético-electrón de conducción.

3. Es la contribución principal a la energía de enlace en cristales iónicos.

4. Es la variación energética producida cuando en una posición de una red cristalina de simetría cúbica un ion se desplaza levemente de su posición.

5. Es dependiente del spin mediante la interacción de intercambio.

191.       Señale cuál es la probabilidad de que un electrón esté en el estado igual al nivel de Fermi en un semiconductor intrínseco:

1. 1/2

2. 1/3

3. 1/e

4. 1/p

5. h/c

192.       La red recíproca de una red cúbica centrada en las caras (fcc) y de una red cúbica simple (cs) son:

1. Una red cristalina bcc y una cs, respectivamente.

2. Una red cristalina fcc y una cs, respectivamente.

3. Una red cristalina hcp y una cs, respectivamente.

4. Una red cristalina fcc y una bcc, respectivamente.

5. Una red cristalina bcc y una fcc, respectivamente.

193.       Tenemos una celda en la cual hay un átomo centrado en el medio de cada arista vertical y un átomo en el centro de las caras inferiores y superiores. ¿A qué red de Bravais corresponde?:

1. SC (Cúbica simple).

2. BCC (Cúbica centrada en el cuerpo).

3. FCC (Cúbica centrada en las caras).

4. Estructura diamante.

5. Zinc-Blenda.

194.       En un circuito rectificador de onda completa, independientemente del filtro empleado, el cociente entre la tensión inversa de pico en cada diodo y la máxima tensión del transformador medida entre el punto medio y uno de los extremos es:

1. 1/2

2. 1

3. 2

4. 4

5. 8

195. La ruptura Zener:

1. Se produce cuando la barrera de potencial es gruesa.

2. Es característica de la descripción de un diodo ideal.

3. Es un fenómeno más común que la ruptura por avalancha.

4. Si se produce junto con la ruptura por avalancha se asocia al efecto túnel.

5. Se produce en uniones p-n que están fuertemente dopadas.

197. Señalar la afirmación falsa. En un transistor MOSFET:

1. El sustrato de Silicio es de tipo p o n.

2. En inversión, la capa de inversión superficial inducida forma un canal conductor entre fuente y drenaje.

3. La movilidad efectiva es un parámetro característico del dispositivo.

4. La pendiente inicial de la curva característica ID-VD del dispositivo disminuye con el incremento del voltaje de puerta VG.

5. La acción de transistor resulta cuando la corriente de drenaje es modulada por el voltaje aplicado a la puerta VG.

198. ¿Cuál es una de las funciones más importantes que realizan los transistores bipolares en configuración de emisor común?:

1. Amplificar señales débiles.

2. Rectificar la tensión de red.

3. Reducir el nivel de tensión de entrada.

4. Reducir el nivel de corriente de entrada.

5. Aumentar el ancho de banda de la señal de entrada.

199. Una configuración en par Darlington está formada por dos BJTs (transistores bipolares) tipo npn con ganancias de corrientes h FE1 y h FE2. El transistor equivalente a este par es un BJT de ganancia:

1. h FE1 + h FE2.

2. h FE1 × h FE2.

3. h FE1 – h FE2.

4. h FE1 / h FE2 ó h FE2 / h FE1, según el orden de conexionado de los transistores.

5. 2h FE1 + h FE2.

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